Т-132. Основной элемент всех полупроводниковых приборов — рn-переход, область соприкосновения зоны р и зоны n. Руководствуясь замечанием Т-8, забудем на время обо всем, что происходит в полупроводниках, и будем представлять себе вещество с n-проводимостью как некий объем, заполненный свободными электронами (на рисунках они условно обозначены белыми шариками), а вещество с р-проводимостью как объем с какими-то свободными положительными зарядами (на рисунках черные шарики). К подробностям будем обращаться лишь по мере необходимости. Например, для того, чтобы объяснить, почему свободные электроны и свободные дырки в диоде не устремляются навстречу друг другу, почему не происходит их взаимной нейтрализации.
Вспомните, что, помимо свободных зарядов, в полупроводниках с примесями имеются еще и неподвижные ионы — в зоне п это неподвижные положительные ионы донора, например мышьяка, в зоне р — неподвижные ионы акцептора, например индия. В нормальном состоянии полупроводник нейтрален, число свободных зарядов и неподвижных ионов, число «плюсов» и «минусов» в нем одинаково. Но как только первые электроны покинут зону п, она окажется наэлектризованной, в ней начнет действовать суммарный положительный заряд лишних ионов. И эти ионы начнут тянуть свободные электроны обратно, мешать их движению в сторону границы. Точно так же отрицательные ионы будут мешать свободным дыркам уходить из зоны р. В итоге между зонами будет существовать пограничная линия, точнее, очень узкая пограничная зона, отделяющая область свободных положительных зарядов от области свободных электронов. Эта пограничная область называется pn-переход (звучит так — «пэ-эн-переход»). С событиями в рn-переходе связана работа всех полупроводниковых приборов, в частности диодов.
Читать следующую теорию
Вернуться на предыдущую

значёк